2025年09月19日
熔炉中的重塑：中国半导体产业在战略竞争时代的深度解析
执行摘要（TL;DR）
中国半导体产业正处于一个深刻的战略悖论之中：一方面，它在关键技术节点上严重依赖外部供应，面临着前所未有的地缘政治压力；另一方面，这种外部压力正以前所未有的力度催化其内部的自主创新和产业重构。本报告深度剖析了这一复杂局面，揭示了中国半导体产业的现状、挑战与未来路径。
报告的核心论点是，在以美国出口管制为代表的外部压力下，中国半导体产业正在加速形成一个与全球主流生态既有联系又相对独立的“双循环”体系。这一进程的核心驱动力源于其作为全球最大半导体消费市场与国内生产能力之间的巨大鸿沟，这一结构性失衡既是其根本弱点，也为其国家主导的产业政策提供了强大的内生动力。
分析显示，中国在产业链各环节的发展极不均衡。在封装测试（OSAT）和成熟制程（28纳米及以上）晶圆代工领域，中国已具备全球竞争力，并有望凭借庞大的国内市场需求和资本投入，占据主导地位。然而，在半导体设备（尤其是光刻机）、电子设计自动化（EDA）软件、高端材料（如先进光刻胶）以及先进制程（7纳米及以下）逻辑芯片制造等上游核心环节，中国仍然存在严重的“卡脖子”问题。
面对外部封锁，中国的应对策略是系统性的。规模空前的国家集成电路产业投资基金（“大基金”）三期，标志着一种“举国体制”的金融动员，旨在为全产业链的自主化提供长期、稳定的资本支持。华为（海思）、中芯国际（SMIC）、长江存储（YMTC）、长电科技（JCET）和北方华创（Naura）等国家队企业，正在各自的赛道上扮演着技术攻关和生态引领的关键角色。
展望未来，全球半导体产业的单一一体化供应链时代已经结束，一个“分岔”的全球格局正在形成。一个生态系统将由美国及其盟友主导，继续在基于极紫外光刻（EUV）技术的前沿物理极限上探索。另一个生态系统则以中国为核心，将在成熟制程领域占据主导，并以先进封装、第三代半导体等“非对称”技术路径，探索实现高性能计算的替代方案。本报告将为政策制定者、行业领袖和战略投资者提供一个全面、深入的决策参考框架，以理解并驾驭这个正在被重塑的全球半导体新秩序。
第一章 全球背景与中国的市场地位
本章节旨在构建一个宏观分析框架，量化全球半导体产业的规模与周期性特征，并明确中国在其中的核心角色——全球最大的消费市场。正是中国巨大的消费需求与其国内生产能力之间的结构性鸿沟，构成了驱动其产业政策和引发全球地缘政治博弈的根本动因。
1.1 全球半导体市场：规模机遇与周期性趋势
全球半导体行业在经历了2023年的周期性下滑后，正进入一个被称为“硅周期”的明确上行阶段 ¹。多家市场分析机构的预测证实了这一复苏趋势。世界集成电路协会（WICA）预测，2024年全球半导体市场规模将达到6202亿美元，相较于2023年的5301亿美元，同比增长高达17% ¹。其他市场报告也给出了类似的乐观预期，增长率预测在19.8%至20.2%之间 ²。这一强劲反弹由2024年下半年持续增长的月度销售数据所印证，例如，2024年11月的全球销售额达到了创纪录的578.2亿美元，同比增长20.7% ⁴。
从长远来看，行业前景更为广阔。结构性需求，特别是来自人工智能、高性能计算（HPC）和电气化的驱动，预计将推动全球半导体产业在2030年达到1万亿美元的市场规模 ⁵。这一长期增长趋势为全球所有参与者，包括中国，提供了巨大的发展空间。
1.2 中国的市场规模：消费与生产的巨大鸿沟
中国在全球半导体版图中的地位至关重要且极为特殊。它不仅是全球最大的电子产品制造中心，也是全球最大的半导体消费市场，常年占据全球约30.1%的消费份额 ¹。这一庞大的市场需求，是中国半导体产业发展的最强劲“需求拉动”引擎 ⁸。
然而，这种巨大的消费能力与其薄弱的国内生产能力之间形成了鲜明的反差，构成了一个巨大的“消费-生产”鸿沟。这一鸿沟直观地体现在其庞大的贸易逆差上。以2019年的数据为例，中国进口了价值3040亿美元的集成电路，而同期出口额仅为1015亿美元，净进口规模超过2000亿美元 ⁹。这种高度的进口依赖性，覆盖了从逻辑芯片到存储器的几乎所有关键领域，使中国的整个信息技术产业生态系统暴露在供应链中断的风险之下。
这种消费与生产之间的结构性失衡，并非简单的经济数据，而是理解当前全球半导体地缘政治冲突的核心。它揭示了中国最根本的战略脆弱性，也解释了为何北京将半导体自主化提升到国家安全的最高优先级。从“中国制造2025”到三期“大基金”的巨额投入，所有国家层面的产业政策都可以被视为是为填补这一鸿沟而进行的系统性努力 ¹⁰。
1.3 主要增长引擎：人工智能、汽车电子与通信技术
全球半导体市场的增长动力正在发生结构性转变，由传统的个人电脑和智能手机驱动，转向由人工智能（AI）、汽车电子和新一代通信技术这三大引擎共同驱动。
人工智能与高性能计算（HPC）：这是当前及未来最强劲的增长引擎。AI大模型的爆发式发展，对底层算力产生了近乎无限的需求，直接推动了图形处理器（GPU）、现场可编程门阵列（FPGA）和专用集成电路（ASIC）等逻辑芯片的需求激增，其增速预计将比行业平均水平高出4% ¹。同时，AI也带动了对高带宽、大容量存储芯片的强劲需求 ¹。
汽车电子：汽车产业的“新四化”（电动化、智能化、网联化、共享化）正在使其成为半导体的“新大陆”。预计2024年，汽车半导体市场将增长16.7%，成为第三大增量市场 ¹。从高级驾驶辅助系统（ADAS）到智能座舱，再到电动汽车的电源管理系统，每辆汽车的半导体价值含量正在急剧上升 ¹³。
通信技术：尽管5G网络的基础设施部署已进入平稳期，但通信仍然是半导体产业的基石。预计2024年，通信半导体市场将增长17.9% ¹。5G终端的普及、物联网（IoT）设备的爆炸式增长以及未来6G技术的研发，将持续创造对射频、连接和处理芯片的稳定需求 ⁷。
值得注意的是，这些全球性的增长引擎在中国国内拥有巨大的市场和世界级的终端企业，例如在AI应用领域的互联网巨头和在电动汽车领域的领先品牌。这种强大的“需求拉动”效应，为中国本土半导体企业提供了一个得天独厚的优势：它们可以依托国内庞大的、受保护的初始市场来验证技术、迭代产品和扩大规模，这为它们在寻求技术自主化的艰难道路上提供了宝贵的缓冲和支持。
表1：全球与中国半导体市场快照（2024-2025年）
| 指标 | 全球数据 | 中国数据 | 中国占全球比重 | 关键驱动力 | 数据来源 |
|---|---|---|---|---|---|
| 2024年市场规模 | 约6202亿美元 | 约1867亿美元（消费额） | 约30.1% | AI、HPC、汽车电子、通信 | ¹ |
| 2024年增长率 | 17% ~ 20% | 21.6% ~ 24% | - | AI服务器、新能源汽车、国产替代 | ¹ |
| 2025年增长率预测 | 11% ~ 13.2% | 预计持续高于全球平均水平 | - | AI向终端渗透、数据中心建设 | ² |
| 核心战略矛盾 | 供应链安全与全球化效率 | 巨大的消费需求与薄弱的自主供给能力之间的鸿沟 | - | - | ⁸ |
第二章 解构中国半导体价值链：自主可控的漫漫征途
本章节将对中国半导体产业链的各个核心环节进行精细化拆解，评估其在自主化道路上的进展与持续存在的瓶颈。分析将揭示一个普遍的模式：中国在靠近应用和终端的下游环节（如封装测试）实力较强，而在决定产业基础的上游环节（如设备、材料、EDA）则面临着严峻的挑战。这种不均衡的发展态势，决定了其产业安全和未来发展的上限。
2.1 IC设计与EDA：产业之脑与关键瓶颈
IC设计
作为半导体产业的龙头，IC设计决定了芯片的功能、性能和成本。中国在这一领域的销售收入虽然有所增长，但核心技术对外依存度高的问题依然突出。华为海思、紫光展锐等企业已进入全球前十，显示出在特定领域（如移动通信处理器）的强大设计能力 15。然而，整个产业生态在CPU、GPU等高端通用芯片领域仍然薄弱 9。
更深层次的依赖在于核心知识产权（IP Core）。目前，全球芯片设计绝大多数基于ARM或x86架构，前者在移动和嵌入式领域占据主导地位。中国IC设计公司高度依赖ARM的IP授权，这使其面临潜在的供应中断风险 ¹⁷。为了应对这一挑战，中国正在大力扶持开源的RISC-V架构，将其视为一种长期的战略对冲，旨在建立一个不受单一公司控制的替代性技术生态 ¹⁷。
电子设计自动化（EDA）
如果说IC设计是“大脑”，那么EDA软件就是进行思考和设计的“笔和纸”。这一领域是中国半导体产业链中最薄弱、最被动的环节之一。全球EDA市场被美国的三家公司——Synopsys（新思科技，全球市占率31%）、Cadence（楷登电子，全球市占率30%）和被西门子收购的Mentor Graphics（现为Siemens EDA，全球市占率13%）——高度垄断 18。这三家巨头在中国市场的占有率合计超过70% 20。
美国的出口管制政策已将先进EDA软件列为核心管制对象，直接限制了中国设计7纳米及以下先进制程芯片的能力 ¹⁸。尽管中国有华大九天（Empyrean）等本土EDA公司，但它们的产品主要集中在模拟电路或成熟数字电路的点工具上，在支持先进制程的全流程设计能力上与国际巨头存在巨大差距 ¹⁸。EDA的“卡脖子”问题，从根本上限制了中国IC设计产业向更高技术水平迈进的步伐。
2.2 半导体设备：国产替代的基础性挑战
半导体设备是整个产业的基石，其技术水平直接决定了芯片制造的能力。中国在这一领域的整体自给率极低，不同报告的估算值从5%到13.6%不等，显示出巨大的国产化空间 ²²。
光刻机：这是中国面临的最严重的瓶颈。光刻技术是芯片制造中最为复杂和精密的环节，而全球市场，尤其是用于先进制程的极紫外光刻（EUV）技术，被荷兰的ASML公司完全垄断。由于美国的出口管制，中国无法获得EUV光刻机，这从根本上阻碍了其发展7纳米以下先进制程的道路。在技术含量稍低的深紫外光刻（DUV）领域，中国也严重依赖进口。2023年，国产光刻系统在中国晶圆厂的采购中仅占1.2% ²⁵。
刻蚀、薄膜沉积与清洗设备：在这些领域，中国的国产化取得了更为显著的进展。以北方华创（Naura）和中微公司（AMEC）为代表的本土企业正在迅速崛起。北方华创在刻蚀机和薄膜沉积设备（PVD）的国内市场占有率已分别达到11%和12% ²⁶。在清洗设备领域，国产化率已达到34%，而去胶设备更是高达90% ²⁸。这些领域的进步，为中国在成熟制程的产能扩张提供了关键支撑。
美国的制裁政策，虽然阻碍了中国获取最先进的设备，但客观上也为国内设备商创造了一个巨大的、受保护的国内市场。中国晶圆厂在无法采购国外设备的情况下，不得不转向国内供应商，这为国产设备的验证、迭代和市场份额提升提供了前所未有的机遇。这种“内部循环”正在加速本土设备产业链的成熟，尽管过程缓慢且充满挑战。
2.3 关键材料：光刻胶与硅片的攻坚战
半导体材料是芯片制造的“食粮”，其纯度和质量直接影响芯片的良率和性能。中国在成熟制程所需材料方面已实现超过15%的自给率，但在高端材料领域仍严重依赖进口 ²⁵。
光刻胶：这是另一个关键的“卡脖子”环节，尤其是在用于先进制程的ArF（氟化氩）和EUV光刻胶方面。全球高端光刻胶市场被日本的JSR、东京应化、信越化学等公司高度垄断。中国本土的KrF（氟化氪）光刻胶市场渗透率仅为约2% ²⁹。尽管国内已有南大光电（Kempur）、徐州博康（BCPC）、上海新阳（Sinyang）等企业在G-line、I-line和KrF等中低端光刻胶领域取得突破，但在更先进的ArF和EUV光刻胶方面仍处于研发或客户验证阶段，尚未形成规模化供应能力 ²⁹。
硅片：作为芯片的基底，大尺寸（12英寸）高纯度硅片的生产技术壁垒极高。中国在这一领域取得了一定的进展，但与日本信越、SUMCO等国际巨头相比仍有差距。
2.4 晶圆制造（Foundry）：成熟制程与先进制程的分野
晶圆制造是半导体产业链的核心，也是资本和技术最密集的环节。中国的晶圆代工策略，在外部压力下，呈现出明显的两极分化特征。
成熟制程（≥28nm）：这是中国正在迅速建立全球优势的领域。通过大规模的国家和地方资本投入，中国正在疯狂扩张成熟制程产能。据预测，到2030年，中国大陆在22纳米及以上成熟工艺的市场份额将从2023年的30%增长至近40% ²³。以中芯国际（SMIC）和华虹半导体为代表的本土代工厂，凭借强劲的国内需求（尤其是在电源管理芯片PMIC、物联网IoT芯片和显示驱动芯片DDIC等领域），产能利用率高企，中芯国际更是在2024年第一季度跃升为全球第二大纯晶圆代工厂 ²³。
先进制程（<14nm）：这是美国制裁的重灾区。由于无法获得EUV光刻机，中国在7纳米及以下的先进制程竞赛中处于根本性的劣势。中芯国际利用现有的DUV设备，通过多次曝光等复杂工艺，成功为华为生产出7纳米级别的麒麟9000S芯片，这被视为一项了不起的工程创举 ³²。然而，这种“绕道”方案的代价是高昂的：其成本比台积电（TSMC）使用EUV的同等工艺高出40-50%，且良率仅有三分之一左右 ³³。这决定了其在商业上难以与国际巨头竞争，只能在国家战略支持下，为满足特定国内需求而存在。
这种战略分岔，并非权宜之计，而可能是一种深思熟虑的非对称竞争策略。在无法于技术前沿与对手正面竞争的情况下，中国选择在构成产业经济基础的成熟制程领域建立压倒性优势。通过潜在的规模效应和价格优势，未来可能使全球对中国的“基础芯片”产生依赖，从而形成新的战略筹码 ¹⁷。
2.5 封装、测试与组装（OSAT）：相对的优势阵地
封装测试是中国半导体产业链中发展最成熟、国际竞争力最强的环节。依托中国强大的电子制造业生态系统和成本优势，以长电科技（JCET）、通富微电（TFME）、华天科技（Huatian）为代表的中国OSAT企业已跻身全球前列 ³⁴。中国大陆目前占据了全球超过30%的后端封测产能 ⁸。
随着摩尔定律放缓，先进封装技术（如系统级封装SiP、2.5D/3D堆叠、Chiplet等）的重要性日益凸显，成为延续芯片性能提升的关键路径。这为中国的OSAT企业提供了新的发展机遇。长电科技等龙头企业正在积极布局高密度异构集成等先进封装技术，这些技术对于高性能AI芯片和HPC至关重要，因为它能将不同工艺、不同功能的“小芯片”（Chiplets）集成在一起，实现超越单个芯片的性能 ³⁵。这不仅是中国发挥其封测优势的领域，也是其绕过先进制程光刻瓶颈、实现系统级性能突破的一条重要替代路径。
表2：中国半导体自主化率记分卡（2024年估算）
| 价值链环节 | 估算国产化率 (%) | 关键本土企业 | 关键外国企业 | 主要挑战与瓶颈 | 数据来源 |
|---|---|---|---|---|---|
| EDA软件 | < 5% | 华大九天 | Synopsys, Cadence, Siemens EDA | 全流程工具缺失，高度依赖美国三巨头，受出口管制严重 | ¹⁸ |
| 核心IP | < 10% | - | ARM, Synopsys, Cadence | 高度依赖ARM架构，RISC-V生态尚不成熟 | ¹⁷ |
| 半导体设备 | 整体 ~14-25% | 北方华创, 中微公司 | ASML, AMAT, Lam Research, TEL | 整体技术落后，对外依存度高 | ²⁴ |
| 光刻机 | ~ 1% | 上海微电子 | ASML, Nikon, Canon | EUV完全缺失，DUV技术差距巨大 | ²⁵ |
| 刻蚀设备 | 11% ~ 20% | 北方华创, 中微公司 | Lam Research, TEL, AMAT | 高端市场仍被外企主导 | ²⁶ |
| 薄膜沉积设备 | 11% ~ 20% | 北方华创, 拓荆科技 | AMAT, TEL, Lam Research | PVD/CVD等领域逐步突破，但高端设备仍有差距 | ²⁶ |
| 半导体材料 | 整体 ~15-20% | 沪硅产业, 南大光电 | 信越化学, SUMCO, JSR | 高端产品严重依赖进口 | ²⁵ |
| 大尺寸硅片 | ~ 15% | 沪硅产业, 中环股份 | 信越化学, SUMCO | 12英寸硅片产能和质量仍有差距 | ²⁵ |
| 先进光刻胶 | < 5% | 南大光电, 上海新阳, 徐州博康 | JSR, 东京应化, 信越化学 | ArF和EUV光刻胶完全依赖进口，是核心瓶颈 | ²⁹ |
| 晶圆制造 | - | 中芯国际, 华虹半导体 | TSMC, Samsung, Intel | 先进制程受限，成熟制程产能快速扩张 | ²³ |
| 封装测试 | > 30% | 长电科技, 通富微电, 华天科技 | ASE, Amkor | 传统封测实力强，先进封装技术快速追赶 | ⁸ |
第三章 地缘政治熔炉：美国出口管制与产业重塑
地缘政治因素，特别是美国主导的对华半导体出口管制，已成为影响中国乃至全球半导体产业格局的最关键变量。本章节将系统性地分析美国管制政策的演变、核心内容及其对中国产业的深远影响，揭示这一外部冲击如何成为重塑产业战略和全球供应链的决定性力量。
3.1 美国政策的演变：从“小院高墙”到全面管制
美国对华半导体管制策略经历了一个逐步升级、系统化的过程，从最初针对特定企业的“精准打击”演变为对整个产业生态的“全面遏制” ²¹。
早期阶段（2018年前）：美国的策略以“有限出口”为主，主要基于传统的军民两用技术管制框架。
“小院高墙”阶段（2018-2022年）：以对中兴和华为的制裁为标志，美国开始构建“小院高墙”（Small Yard, High Fence）策略。其核心思想是，在明确界定的关键技术领域（“小院”，即半导体、AI等）建立严格的出口壁垒（“高墙”），同时在其他领域保持开放。这一时期，管制重点集中在5G通信和特定AI企业上 ²¹。
全面管制阶段（2022年至今）：2022年10月，美国商务部工业与安全局（BIS）出台了一系列全面的出口管制新规，标志着其策略的根本性转变。其目标不再是“保持相对优势”，而是“保持最大领先优势”，意图系统性地延缓甚至阻断中国在先进计算和人工智能领域的发展 ²¹。
这一新阶段的管制措施呈现出几个关键特征：
从终端到源头：管制范围从最终的芯片成品，向上游扩展至制造这些芯片所需的一切要素，包括半导体设备、EDA软件、关键零部件，甚至向下游延伸至使用受管制芯片提供算力租赁服务的行为 ²¹。
从单边到多边：美国积极游说盟友，成功将荷兰（ASML所在地）和日本（设备和材料强国）纳入其管制体系，形成了对华技术封锁的“多边合围”之势 ²¹。
动态更新与堵漏：管制规则被设计为“动态”的，美国商务部明确表示将至少每年更新一次，以封堵可能出现的漏洞，并根据技术发展调整管制参数 ²¹。
3.2 影响分析：扼住先进技术咽喉
美国出口管制的核心目标，是精确打击中国获取和生产两类关键技术的能力：一是用于高性能计算的先进制程逻辑芯片（通常定义在14/16纳米及以下），二是用于人工智能模型训练的高端AI芯片 ³⁹。
对先进制程的封锁：通过禁止向中国出口EUV光刻机及相关技术，并限制DUV光刻机在先进工艺中的应用，美国有效地切断了中国通往7纳米及以下工艺的产业化路径。此外，通过“外国直接产品规则”（FDPR）的域外管辖权，美国阻止了像台积电这样使用美国技术的外国公司为华为海思等中国实体代工先进制程芯片 ³⁹。这直接导致了华为高端麒麟芯片的“断供”，并迫使中芯国际等本土厂商只能在经济和技术效率极低的情况下，艰难探索非EUV的替代路径。
对AI算力的限制：管制措施设定了明确的性能阈值（如高带宽内存、处理性能等），任何超过这些阈值的AI芯片（如英伟达的A100/H100）都无法向中国出口。这迫使英伟达等公司推出了性能大幅缩水的“特供版”芯片（如H20）以规避管制 ³⁸。然而，美国政府持续收紧管制标准，英伟达已表示未来不会再为中国市场推出Hopper架构的后续芯片，这进一步压缩了中国获取高端AI算力的空间 ³⁸。
3.3 全球涟漪效应：一个分岔的世界
美国对华的全面管制政策，其影响远不止于中美两国，而是正在深刻地重塑全球半导体供应链的结构，推动世界走向一个“分岔”的未来。
过去数十年，全球半导体产业建立在一个高度专业化、全球一体化的供应链之上，实现了效率的最大化。美国在设计和IP、日本在材料、欧洲在设备、韩国和中国台湾在制造、中国大陆在封测和市场，各有所长。而当前的管制政策正在打破这一格局。
国际企业被迫在中美市场之间做出选择，供应链开始沿着地缘政治边界进行重组。一方面，全球领先企业正在减少对中国市场的长期依赖，并将生产和投资转向美国、欧洲和东南亚等“友岸”地区 ⁸。另一方面，中国正以前所未有的决心和资源，加速构建一个独立于美国技术体系的、自给自足的“红色供应链”。
这种分岔的代价是高昂的。它牺牲了全球化带来的效率，增加了全球的生产成本，并可能导致技术标准的碎片化。对于美国科技公司而言，失去中国这个巨大的市场，意味着损失了重要的收入来源，而这些收入本可用于再投资于研发，这可能在长期内削弱其自身的创新能力和全球竞争力。例如，Synopsys和Cadence在中国的收入分别占其总收入的16%和12%，失去这部分市场将对其财务造成显著影响 ¹⁸。
最终，世界可能面临两个并行的半导体生态系统：一个由美国及其盟友主导，继续推动技术前沿；另一个以中国为中心，在巨大的国内市场支持下，发展出一套独立的技术标准和供应链。这两个生态系统将在全球范围内展开激烈的竞争。
第四章 中国的战略应对：政策、资本与国家冠军
面对外部环境的急剧变化，中国采取了以国家意志为主导的系统性应对策略。这一策略的核心是，通过大规模的资本注入和顶层政策设计，加速培育本土产业链，力图在关键技术领域实现“自主可控”。本章节将深入分析“大基金”的运作模式、国家产业政策的目标，并评估其在实现自给自足道路上的实际进展。
4.1 “大基金”：第三期千亿资本的战略聚焦
国家集成电路产业投资基金（俗称“大基金”）是中国推动半导体产业发展的核心金融工具。继一期（987.2亿元人民币）和二期（2041.5亿元人民币）之后，2024年成立的第三期基金规模空前，注册资本高达3440亿元人民币，超过前两期总和 ¹⁰。
大基金三期的成立，标志着中国半导体扶持策略的重大升级，呈现出以下几个显著特点：
“举国体制”的金融动员：与前两期主要由财政部和国开金融等政策性机构出资不同，三期基金的股东名单中，工商银行、建设银行、中国银行等六大国有商业银行赫然在列，合计出资1140亿元，占总股本的33.14% ¹⁰。商业银行的深度参与，表明这已不再是单纯的产业投资，而是上升为国家金融体系层面的战略任务。这种模式能够提供比市场化基金更具耐心、规模更庞大的资本，支持那些投资周期长、风险高、但对国家战略至关重要的基础研究和核心技术攻关项目。
从“补链”到“全产业链”支持：如果说一期和二期的投资重点在于解决“卡脖子”最严重的制造环节（合计投资占比近70%），那么三期的目标则更为宏大，旨在对“集成电路全产业链”进行系统性支持 ¹⁰。这意味着投资将更均衡地覆盖到半导体设备、关键材料、EDA软件、先进封装等整个生态系统。这种转变反映出决策层认识到，半导体产业的突破需要整个生态的协同进步，而非单点突破。
聚焦新兴战略领域：除了延续对设备和材料的重点支持外，市场普遍预期大基金三期将重点投向两个新兴战略领域。一是与AI和数字经济相关的算力芯片和存储芯片，特别是高带宽内存（HBM）等高附加值产品 ¹⁰。二是以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体，这是中国有望实现“换道超车”的战略新赛道 ⁴⁰。
4.2 培育国内生态：“中国制造2025”的延续
大基金的资本运作，是实现更宏观的国家战略——“中国制造2025”——的具体手段。该战略于2015年提出，旨在全面提升中国制造业的水平，其中将集成电路列为需要重点突破的核心基础产业 ¹¹。
该战略的核心目标是实现半导体产业的高度自给自足，最初设定的目标是到2020年实现40%的自给率，到2025年达到70% ⁴²。为实现这一目标，中国政府不仅提供了资金，还通过税收优惠、人才引进计划以及鼓励下游整机厂商（如手机、汽车企业）与上游芯片企业协同发展的政策，共同培育一个内循环的产业生态 ³⁰。
在外部制裁的压力下，这种内部生态的培育被动地加速了。由于无法从国际市场自由采购，国内的晶圆厂和芯片设计公司被迫转向本土的设备和材料供应商。这种“被动”的合作，虽然在初期可能牺牲了效率和良率，但却为国产设备和材料提供了宝贵的量产验证机会和迭代改进的数据反馈，客观上起到了孵化器的作用，缩短了国产替代的进程。
4.3 评估自主化进程：目标与现实的差距
尽管投入巨大，但实现半导体自主化的道路远比预想的更为艰难。
自给率现状：最初设定的“2025年实现70%自给率”的目标，目前看来已难以实现 ¹¹。根据不同机构的测算，2024年中国芯片的整体自给率大约在20%到35%之间 ⁸。虽然在某些细分领域（如部分成熟制程和封测）已取得显著进展，但在核心技术和高端产品上，差距依然巨大。
未来展望：更为现实的预测是，在中国持续的政策和资本推动下，到2030年，其芯片自给率有望提升至50-60% ⁸。这意味着，届时中国将能够满足国内大部分成熟制程芯片的需求，并在部分先进领域实现“去美化”的国产替代。然而，在最尖端的技术前沿，与世界领先水平可能仍将保持2到3代的技术差距。
总而言之，中国的战略应对是一场以海量资本和国家意志为后盾的持久战。其目标并非在短期内全面超越对手，而是在外部封锁下，首先确保国内产业链的生存和运转，然后逐步向上游核心技术攀升，最终建立一个能够与外部世界并行且具备韧性的半导体产业生态。
第五章 行业巨擘：中国半导体国家队深度剖析
本章节将聚焦于构成中国半导体产业脊梁的几家核心企业。它们不仅是各自领域的市场领导者，更是承载国家战略、推动技术突破的“国家队”成员。通过对这些公司的深度剖析，可以更清晰地洞察中国半导体产业的实力、战略意图以及未来走向。
5.1 华为（海思）：AI时代的韧性与重塑
在美国制裁下，华为海思（HiSilicon）的经历是中国半导体产业困境与决心的缩影。其发展路径清晰地展示了一家科技巨头在核心供应链被切断后的战略转型。
战略重心转移：在无法通过台积电等顶级代工厂生产其先进的麒麟系列手机SoC后，华为并未放弃芯片设计，而是将海思的战略重心从消费电子转向了企业级和人工智能领域 ⁴⁵。其核心产品线转变为“昇腾（Ascend）”系列AI加速器和“鲲鹏（Kunpeng）”系列服务器CPU，旨在为中国庞大的数据中心和AI市场提供自主可控的算力底座 ¹⁴。
研发驱动的未来：华为的转型底气源于其惊人的研发投入。2024年，公司研发支出高达1797亿元人民币，占全年收入的20.8%，近十年累计研发投入超过1.2万亿元 ⁴⁷。这种“压强式投入”确保了其在AI芯片架构、算法和系统软件等领域的持续创新能力。公司提出的“天水计划”、“地水计划”等长期战略，旨在从根技术上构建面向未来的AI算力优势 ⁴⁷。
国内生态的引领者：华为不仅仅是一个芯片设计公司，更是整个国产半导体生态系统的核心驱动者和系统集成者。其昇腾910B/C等AI芯片的设计需求，直接推动了中芯国际在7纳米（N+2）等先进节点的工艺开发和产能爬坡，使其成为中芯国际最关键的客户 ³³。通过将需求订单导向国内的设备、材料和封测厂商，华为正在以“链主”的身份，强力拉动整个“红色供应链”的协同发展。
5.2 中芯国际（SMIC）：在制裁下探索非EUV先进制程之路
作为中国大陆规模最大、技术最先进的晶圆代工厂，中芯国际（SMIC）是国家实现芯片制造自主化的核心支柱。其发展策略呈现出鲜明的两面性：在成熟制程领域积极扩张，在先进制程领域艰难攻坚。
双轨并行战略：中芯国际的业务清晰地分为两条战线。第一条是其全球竞争力的核心——成熟制程（28纳米及以上）。凭借国内对电源管理芯片（PMIC）、物联网（IoT）芯片、图像传感器（CIS）和显示驱动芯片（DDIC）的旺盛需求，中芯国际的成熟制程产能供不应求，产能利用率高达92.5%，其中84%的收入来自中国大陆市场 ³¹。这为其提供了稳定的现金流和利润来源。
N+2工艺的技术突破：第二条战线是在没有EUV光刻机的条件下，挑战先进制程的极限。中芯国际利用现有的DUV光刻机，通过多次图形曝光（multi-patterning）等极其复杂的工艺，成功开发出7纳米级别的“N+2”工艺，并为华为量产了麒麟9000S芯片 ³²。这一成就震惊了业界，证明了中国在特定条件下实现技术突破的工程能力。据报道，公司正基于类似技术路径，计划在2025年完成5纳米工艺的开发 ³³。
高昂的代价与战略意义：然而，这种非EUV路径的代价是巨大的。其制造成本比使用EUV的台积电同等工艺高出40-50%，且良率和性能均有显著差距 ³³。这意味着它在商业上缺乏全球竞争力，其存在更多是出于满足国家战略需求的考量。尽管面临重重挑战，中芯国际仍在持续扩充其先进节点产能，预计到2025年底将达到每月4.5万片晶圆，显示出国家对其长期发展的坚定支持 ⁴⁸。
5.3 长江存储（YMTC）：3D NAND存储技术的全球竞争者
长江存储（YMTC）是中国半导体产业中最具全球竞争力的典范之一，它在技术密集型的3D NAND闪存领域实现了对国际巨头的快速追赶。
核心技术优势：Xtacking架构：长江存储的成功关键在于其独创的Xtacking®晶栈架构。该技术将存储单元阵列（Memory Array）和外围逻辑电路（Peripheral Logic）在两片独立的晶圆上加工，然后通过混合键合（Hybrid Bonding）技术将它们堆叠在一起。这种创新的架构使其能够独立优化两部分的设计和制造，从而在不增加工艺复杂度的前提下，实现更高的存储密度和I/O性能 ⁵¹。
技术水平比肩国际巨头：凭借Xtacking架构的优势，长江存储已成功量产232层堆叠的3D NAND产品，这一技术水平与三星、SK海力士、美光等国际一线厂商基本同步 ⁵¹。其技术实力得到了业界的广泛认可，甚至有报道称，市场领导者三星电子已就下一代NAND的“混合键合”技术与长江存储签订了专利授权合同，这在中国企业向全球巨头输出核心技术的案例中极为罕见 ⁵²。
市场地位与应用：长江存储的产品已经成功打入主流消费电子供应链，在小米、传音等国产品牌的智能手机中获得批量应用和验证 ⁵¹。随着其产能和技术成熟度的不断提升，长江存储正在稳步扩大其全球市场份额，成为打破韩美日企业在NAND闪存市场垄断格局的一股重要力量。
5.4 长电科技（JCET）：先进封装与异构集成的领军者
在后摩尔时代，先进封装技术成为延续芯片性能增长的关键。作为全球领先的半导体封测（OSAT）企业，长电科技（JCET）正处于这一技术变革的中心。
市场领导地位与技术组合：长电科技是全球排名前列的OSAT厂商，拥有从传统引线框架封装到先进晶圆级封装的全面技术服务能力 ³⁴。其技术组合包括系统级封装（SiP）、晶圆级芯片尺寸封装（WL-CSP）、扇出型封装（Fan-Out）以及面向小芯片（Chiplet）的XDFOI™系列技术 ³⁵。
异构集成的战略价值：长电科技的核心竞争力在于其高密度异构集成能力。随着单颗芯片性能提升的难度和成本越来越高，将多个不同功能、不同工艺制造的“小芯片”（Chiplets）通过先进封装技术集成在一个基板上，成为实现高性能计算的主流方案。长电科技的XDFOI™技术正是为此而生，能够为CPU、GPU、AI加速器等高端芯片提供高密度、低延迟的互连解决方案 ³⁵。
赋能关键应用领域：公司的先进封装技术正广泛应用于AI、高性能计算（HPC）、5G通信和汽车电子等高增长领域。例如，公司已成功为国际客户的4纳米节点多芯片系统实现了集成封装产品出货，并为L3级以上自动驾驶所需的4D毫米波雷达提供先进封装方案 ³⁵。在中国寻求绕过先进制程光刻瓶颈的背景下，长电科技的先进封装能力具有极其重要的战略意义，它提供了一条通过系统级创新来弥补单芯片制造短板的有效路径。
5.5 北方华创（NAURA）：国产设备龙头的崛起
北方华创（NAURA）是中国半导体设备行业的领军企业，也是半导体全产业链自主化进程中最为关键的环节之一。它的快速成长，是国产替代趋势的直接体现。
制裁下的最大受益者：随着美国对华出口管制的不断加严，中国本土晶圆厂采购国外设备的渠道受阻，这为北方华创等国内设备商创造了巨大的市场缺口。公司业绩因此实现了爆发式增长，2019至2023年间，其归母净利润的年均复合增长率（CAGR）高达88% ²⁶。半导体设备业务已成为其绝对核心，收入占比超过80% ²⁶。
产品布局与市场份额：作为中国产品线最齐全的平台型设备公司，北方华创的产品覆盖了刻蚀、薄膜沉积（PVD, CVD）、清洗、热处理（炉管）等芯片制造的核心工艺环节 ⁵⁴。在关键的刻蚀机和薄膜沉积设备领域，公司均已取得约11%的国内市场份额，而在PVD设备领域，这一数字更是达到了12% ²⁶。这标志着中国在部分核心设备上实现了从“0”到“1”的突破，并开始进入市场份额扩张阶段。
财务表现与未来潜力：强劲的市场需求和不断提升的产品竞争力，使得北方华创的盈利能力显著增强，其半导体设备业务的净利率从2019年的3%提升至2023年的近18% ²⁶。随着国内晶圆厂新一轮的产能扩张和国产化率要求的进一步提高，北方华创作为本土设备龙头，未来仍有巨大的成长动能 ⁵⁵。
表3：中国半导体关键企业对比分析
| 公司名称 | 主要业务环节 | 核心技术/产品 | 市场地位与角色 | 对自主化的战略重要性 | 数据来源 |
|---|---|---|---|---|---|
| 华为（海思） | IC设计 | 昇腾（Ascend）AI芯片、鲲鹏（Kunpeng）服务器CPU | 中国AI芯片设计领导者，国内生态系统“链主” | 极高：定义高端芯片需求，拉动整个国产供应链的技术升级。 | ¹⁴ |
| 中芯国际 (SMIC) | 晶圆制造 | 成熟制程（28nm+）、N+2（7nm级）DUV工艺 | 全球前三大纯晶圆代工厂，中国大陆技术最先进的代工企业 | 极高：国家芯片制造自主化的核心平台，承担先进制程攻关任务。 | ²³ |
| 长江存储 (YMTC) | 存储芯片（IDM） | Xtacking® 3D NAND 架构，232层闪存 | 全球3D NAND市场的重要参与者，技术水平比肩国际巨头 | 高：在存储这一战略性大宗产品上实现自主可控，打破国外垄断。 | ⁵¹ |
| 长电科技 (JCET) | 封装测试 | XDFOI™ Chiplet技术、系统级封装（SiP） | 全球领先的OSAT厂商，中国封测行业龙头 | 高：后摩尔时代通过先进封装提升系统性能的关键，是绕过光刻瓶颈的重要路径。 | ³⁴ |
| 北方华创 (NAURA) | 半导体设备 | 刻蚀机、PVD、CVD、炉管、清洗机 | 中国规模最大、产品线最全的平台型设备商 | 极高：实现产业链上游自主化的基石，直接决定了芯片制造的国产化水平。 | ²⁶ |
第六章 新的疆域：描绘中国的未来增长轨迹
在应对当前挑战的同时，中国半导体产业也在积极布局未来，力图在一些新兴技术领域抢占先机，实现从“追赶”到“引领”的跨越。本章节将重点分析人工智能（AI）芯片、第三代半导体以及先进封装这三大前沿领域，它们将共同塑造中国半导体产业的下一阶段发展图景。
6.1 AI芯片的军备竞赛：国产GPU与加速器的崛起
人工智能浪潮正推动全球半导体产业迈向万亿级市场，而AI芯片是这场变革的核心 ⁵⁶。在美国对英伟达（Nvidia）等公司的高端GPU实施严格出口管制的背景下，中国发展自主AI芯片已从商业选择上升为国家战略的必然。
巨大的市场需求与国产替代窗口：中国是全球最大的AI应用市场之一，拥有海量的数据和丰富的应用场景，这为AI芯片提供了广阔的用武之地 ⁵⁶。外部供应的限制，为本土AI芯片创造了一个巨大的替代空间。据TrendForce预测，到2025年，中国AI服务器市场中，本土芯片供应商（如华为）的份额有望从2024年的约10%提升至40%，几乎与外购芯片平分秋色 ³⁸。
本土生态的构建：一场围绕自主AI芯片的生态系统建设正在加速进行。华为的昇腾系列是目前的领跑者，其性能在特定指标上已能与英伟达的降级版产品相媲美 ⁴⁹。与此同时，寒武纪、壁仞科技、摩尔线程等一批AI芯片初创公司也在积极开发自己的GPU和AI加速器产品 ⁴⁹。这场竞赛的终极目标，是构建一个从硬件芯片、编译器、深度学习框架到上层应用软件的完全自主可控的AI技术栈，以摆脱对英伟达CUDA生态系统的依赖。
6.2 第三代半导体（SiC & GaN）：换道超车的战略机遇
与以硅（Si）为代表的第一代半导体不同，以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的第三代宽禁带半导体，在高压、高频、高温和高功率场景下具有无可比拟的性能优势 ⁵⁸。这使其成为支撑新能源汽车、5G通信、光伏逆变和新一代电力电子设备的核心材料。
抓住新兴赛道机遇：第三代半导体是一个全球性的新兴产业，各国基本处于同一起跑线，这为中国提供了一个难得的“换道超车”机会。中国政府已将发展第三代半导体写入“十四五”规划等国家级战略，并计划在科研、融资、应用等各方面给予大力支持，以期实现产业自主可控 ⁵⁸。
下游市场驱动优势：中国在第三代半导体的主要应用市场——新能源汽车和5G通信——拥有全球领先的规模和产业链。庞大的国内市场需求，为本土SiC和GaN器件的研发和商业化提供了强大的牵引力。例如，在新能源汽车中，使用SiC功率模块可以显著提升电驱系统的效率，增加续航里程。中国作为全球最大的新能源汽车市场，自然成为SiC产业发展的最佳试验场和孵化器 ⁵⁹。
产业现状与挑战：目前，中国在SiC衬底材料、外延生长和器件制造等环节均已形成产业布局，但与国际领先企业（如Wolfspeed、英飞凌）相比，在材料质量、器件可靠性和成本控制上仍有差距 ⁵⁹。此外，产业链协同不足、科研与产业脱节等问题也制约着产业发展 ⁶⁰。尽管如此，凭借明确的政策支持和巨大的市场潜力，第三代半导体无疑是中国半导体产业中最有希望实现全球领先的领域之一。
6.3 先进封装与Chiplet：后摩尔时代的范式转移
随着传统的晶体管尺寸缩小（摩尔定律）越来越接近物理极限，其带来的性能提升效益递减，而成本却急剧上升。在这一背景下，通过先进封装技术将多个“小芯片”（Chiplets）集成为一个高性能系统，正成为延续半导体产业发展的关键技术路径。
绕过光刻瓶颈的务实选择：对于在先进制程光刻技术上受限的中国而言，Chiplet架构具有特殊的战略意义。它提供了一种“化整为零，再积零为整”的思路：与其艰难地制造一颗采用5纳米或3纳米工艺的巨大单片系统级芯片（SoC），不如将不同功能模块（如CPU、GPU、I/O等）分别用最适合、良率最高的工艺（可能是14纳米、28纳米等成熟工艺）制造成独立的Chiplet，然后再通过2.5D/3D等先进封装技术将它们高速互联起来 ³⁵。
发挥中国现有优势：这一路径恰好能发挥中国在封装测试（OSAT）领域的相对优势。以长电科技为代表的本土封测龙头，正在大力投资于支持Chiplet的高密度异构集成技术，并已进入稳定量产阶段 ³⁵。
推动产业变革：Chiplet不仅是一种技术，更是一种商业模式的变革。它有望催生一个开放的、模块化的芯片市场，设计公司可以像搭积木一样，从不同供应商处采购标准化的Chiplet，快速构建出定制化的芯片系统。这为中国的IC设计公司提供了新的发展机遇。
综上所述，中国在新兴领域的布局体现了一种高度战略性的组合拳。发展AI芯片是应对外部封锁的“防御性”必需品；押注第三代半导体是利用下游市场优势争夺未来主导权的“进攻性”举措；而推动先进封装与Chiplet则是绕过当前技术瓶颈、务实地提升系统性能的“变通性”策略。这三条战线共同构成了中国半导体产业寻求突破的未来蓝图。
第七章 战略展望与结论分析
本报告通过对中国半导体产业的宏观市场、价值链、地缘政治环境、国家战略及重点企业进行系统性梳理和深度分析，旨在为理解这一复杂而关键的领域提供一个全面的框架。本章将综合前述所有分析，提炼核心的挑战与机遇，并对产业未来5至10年的发展路径进行情景预测，最终形成对全球半导体新格局的结论性判断。
7.1 核心挑战与机遇的综合研判
中国半导体产业的未来，将在挑战与机遇的激烈碰撞中被塑造。
核心挑战：
关键技术节点的持续封锁：在可预见的未来，中国获取EUV光刻机、先进EDA软件和尖端材料的渠道仍将被严格限制。这是其在先进制程逻辑芯片领域难以逾越的根本障碍。
非EUV路径的高昂成本与低效：虽然中芯国际证明了使用DUV技术生产7纳米级芯片的可能性，但其高昂的成本和较低的良率决定了这条路径在经济上是不可持续的，只能作为满足特定战略需求的“不计成本”的解决方案。
基础研究与人才短板：半导体产业的根基在于深厚的材料科学、物理学等基础研究和经验丰富的工程技术人才。中国在这些领域的长期积累仍然不足，科研与产业的转化链条也不够通畅 ⁶⁰。
地缘政治风险的常态化：美国及其盟友的出口管制政策将是长期且动态的，这意味着中国半导体产业将持续在一个高度不确定和充满压力的外部环境中运行。
战略机遇：
巨大的、受保护的国内市场：外部制裁客观上为本土企业创造了一个巨大的、免受国际巨头直接竞争的“战略孵化器”。从设备、材料到芯片设计，国内供应商获得了前所未有的市场准入和试错机会。
“举国体制”下的海量资本支持：“大基金”三期所代表的国家级资本注入，为产业提供了长期、稳定且几乎不受市场周期影响的资金支持，使其能够进行高风险、长周期的核心技术研发。
在成熟制程和封装领域的优势地位：中国有望在构成产业经济基础的成熟制程领域建立全球主导地位，并在后摩尔时代的关键技术——先进封装——上发挥引领作用。
在新兴赛道“换道超车”的潜力：在第三代半导体等新兴领域，全球技术和产业格局尚未固化，中国凭借其庞大的下游应用市场（如新能源汽车），有机会建立起从材料到应用的完整产业链优势。
7.2 中国半导体产业的情景预测（2025-2030）
基于上述挑战与机遇的分析，未来中国半导体产业的发展可能呈现以下三种情景：
情景A（基准情景）：有韧性的并行发展
在此情景下，中国基本实现“中国制造2025”的修订后目标，到2030年实现约50-60%的芯片自给率 8。具体表现为：在成熟制程（28纳米及以上）领域，中国凭借巨大的产能扩张，成为全球市场的绝对主导者，市场份额超过40% ²³。
在先进制程方面，通过DUV多重曝光和先进封装的结合，能够为国内高端需求（如AI训练、超算）提供性能“可用”但成本高昂的解决方案，技术水平与世界前沿保持2-3代的稳定差距。
在设备和材料领域，实现中低端产品的全面国产化，但在光刻机、高端光刻胶等少数核心瓶颈上仍依赖（或受限于）外部。
在第三代半导体和先进封装领域，成为全球市场的有力竞争者之一。
情景B（加速突破情景）：非对称赶超
此情景的触发条件是中国在某一两个关键瓶颈技术上取得非线性突破。例如，国产浸没式DUV光刻机实现量产并达到较高良率，或者在新型材料、Chiplet互联标准等领域取得颠覆性创新。这将导致：自给率在2030年超过60%。
通过“先进工艺（DUV）+先进封装”的组合，其高端芯片的综合性能与国际前沿的差距显著缩小，在某些特定应用上甚至可以持平。
在AI芯片等关键领域，完全摆脱对外部供应的依赖，并开始形成有竞争力的自主生态。
情景C（瓶颈固化情景）：高成本的内循环
在此情景下，非EUV路径的技术和经济瓶颈被证明难以克服，良率始终无法有效提升，成本居高不下。同时，美国及其盟友的管制进一步收紧。这将导致：自给率在2030年停滞在40%以下。
中国形成一个庞大的、主要服务于国内市场的“内循环”产业体系，但在全球市场上缺乏竞争力。
与国际前沿的技术差距被进一步拉大，尤其是在通用计算和AI领域。产业发展高度依赖国家持续的巨额补贴，陷入“投入巨大、产出有限”的困境。
目前来看，**情景A（基准情景）**是最有可能出现的结果。
7.3 结论：全球半导体“分岔”新秩序的来临
无论最终走向哪种情景，一个核心结论已经十分清晰：过去三十年那种以效率为导向、全球一体化的半导体供应链时代已经终结。我们正在见证一个全球半导体新秩序的诞生，其最显著的特征是“分岔”（Bifurcation）。
未来将是两个主要生态系统并存和竞争的世界：
一个是由美国及其技术盟友（如日、韩、荷、台）主导的生态系统。它将继续掌控最前沿的制造技术（EUV），引领全球在通用计算、人工智能和移动通信等领域的技术标准和创新方向。
另一个是以中国为核心的、自主可控的生态系统。它将在巨大的国内市场和国家意志的驱动下，建立起一套相对独立的技术体系。该体系将在成熟制程领域占据主导地位，并通过先进封装、第三代半导体等非对称路径，探索实现高性能的替代方案。
这两个生态系统之间不会完全隔绝，它们将在全球市场，特别是在成熟技术产品领域，展开激烈的竞争。同时，它们在某些环节可能仍会存在复杂的、相互依存的关系。对于全球所有参与者而言，理解并适应这个正在到来的“分岔”新秩序，将是未来十年最大的战略挑战。中国的半导体产业，正是在这场深刻的全球变局中，在外部施加的熔炉中，被动而又主动地进行着一场史无前例的自我重塑。
表4：中国半导体产业关键里程碑与预测（2025-2030年）
| 年度 | 关键技术/产业里程碑预测 | 预测自给率 (%) | 市场动态与趋势 | 地缘政治展望 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2025 | - 中芯国际5纳米DUV工艺进入风险试产 ³³ | - 国产AI芯片在中国市场份额达到40% 38 | - 第三代半导体开始在新能源汽车领域规模化应用 | 30% - 35% | - AI向手机、PC等终端设备渗透，带动新一轮换机潮 ¹² | - 全球存储器市场进入强劲复苏周期 | - 美国出口管制政策进入常态化、年度更新阶段 ²¹ | - 供应链“友岸外包”趋势加速 |
| 2027 | - 国产浸没式DUV光刻机实现小批量商业化 - Chiplet商业生态初步形成，出现基于开放标准的国产芯粒产品 - 国产KrF光刻胶实现主流供应 | 40% - 45% | - 成熟制程产能过剩风险开始显现，可能引发全球价格战 - 中国在第三代半导体材料（SiC）领域成为主要供应国 | - 中美技术竞争进入相持阶段 - 全球半导体供应链“双生态”格局基本定型 | ||||
| 2030 | - 先进封装成为与先进制程并行的主流性能提升路径 - 基于RISC-V架构的国产CPU/GPU在特定领域（如服务器、物联网）开始规模化部署 - 国产ArF光刻胶取得突破 | 50% - 60% | - 全球半导体市场规模突破1万亿美元 ⁶ | - 中国主导全球成熟制程市场，占据40%以上产能 23 | - 两个平行的半导体技术生态系统在全球范围内展开全面竞争 - 技术标准的碎片化风险增加 |
引用的著作
WICA：2024年全球半导体市场规模将达6202亿美元，中国大陆占比 …, 访问时间为 九月 19, 2025， https://www.cww.net.cn/article?id=595998
半导体大爆发！最新报告出炉 - 证券时报, 访问时间为 九月 19, 2025， http://stcn.com/article/detail/1532927.html
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[News] China’s Semiconductor Equipment Industry Booming, Self-Sufficiency to Reach 50% by 2025? - TrendForce, 访问时间为 九月 19, 2025， https://www.trendforce.com/news/2025/02/14/news-chinas-semiconductor-equipment-industry-booming-self-sufficiency-to-reach-50-by-2025/
[News] China Makes Progress in Chip Tool Self-Sufficiency, Yet Lithography Remains a Key Bottleneck - TrendForce, 访问时间为 九月 19, 2025， https://www.trendforce.com/news/2024/08/12/news-china-makes-progress-in-chip-tool-self-sufficiency-yet-lithography-remains-a-key-bottleneck/
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